| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.95 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 240 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 输入电容 | 200 pF |
| 栅电荷 | 10.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.95 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 200pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 400 mW |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V
●最大漏极电流IdDrain Current| -1.95A
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.165Ω @-1.95A,-4.5V
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0--3V
●耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W
●Description & Applications| Features • Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching • Low RDS(ON) for Low Conduction Losses • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 X 3 mm) • Pb−Free Packages are Available
●描述与应用| •领先的平面技术，低栅极电荷/快速切换 •低RDS（ON） 低传导损耗 •SOT-23表面贴装小尺寸（3×3毫米） •无铅包可用
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ON SEMICONDUCTOR NTR4502PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
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功率MOSFET -30 V， -1.95 A单， P沟道， SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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