类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -1.95 A |
封装 | SOT-23-3 |
漏源极电阻 | 240 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 400 mW |
输入电容 | 200 pF |
栅电荷 | 10.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.95 A |
输入电容值(Ciss) | 200pF @15V(Vds) |
耗散功率(Max) | 400 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 1.13A(Ta) 400mW(Tj) SOT-23-3(TO-236)
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ON SEMICONDUCTOR NTR4502PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.95 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -3 V
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功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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功率MOSFET -30 V, -1.95 A单, P沟道, SOT -23 Power MOSFET −30 V, −1.95 A, Single, P−Channel, SOT−23
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