| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 270 mA |
| 封装 | SC-70-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 330 mW |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 270 mA |
| 上升时间 | 23 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 33pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 330 mW |
| 下降时间 | 82 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 330mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 270mA/0.27A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.5Ω/Ohm @10A,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| • Low Gate Charge for Fast Switching • Small Footprint − 30% Smaller than TSOP−6 • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for Green Manufacturing (G Suffix) 描述与应用| •低栅极电荷快速开关 •占地面积小 - 30％小于TSOP-6 •ESD保护门 •面向绿色制造的无铅封装（G后缀）
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