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NTS4101PT1G
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NTS4101PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-323-3
描述:P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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NTS4101PT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-1.37 A
封装SOT-323-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.12 Ω
极性P-Channel
功耗329 mW
阈值电压640 mV
漏源极电压(Vds)20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)1.37 A
上升时间14.9 ns
输入电容值(Ciss)840pF @20V(Vds)
额定功率(Max)329 mW
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)329 mW
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NTS4101PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTS4101PT1G 数据手册

NTS4101PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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