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NTS4409NT1G
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NTS4409NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SC-70-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTS4409NT1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 750mA, SOT-323
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NTS4409NT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)25.0 V
额定电流700 mA
封装SC-70-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.35 Ω
极性N-Channel
功耗330 mW
阈值电压650 mV
输入电容60.0 pF
栅电荷1.50 nC
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25.0 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)750 mA
上升时间8.2 ns
输入电容值(Ciss)60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)280 mW
下降时间41 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)330 mW
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NTS4409NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTS4409NT1G 数据手册

NTS4409NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.12 MByte
NTS4409NT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
NTS4409NT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.05 MByte

NTS4409NT1 数据手册

NTS4409NT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTS4409NT1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 750mA, SOT-323
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