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NTTFS4821NTAG
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NTTFS4821NTAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:WDFN-8
描述:18.6A,30V,N沟道MOSFET
PDF文件:NTTFS4821NTAG 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NTTFS4821NTAG 数据手册 (7 页)
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NTTFS4821NTAG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装WDFN-8
极性N-Channel
功耗4.1 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)13.5 A, 18.6 A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)1755pF @12V(Vds)
额定功率(Max)660 mW
下降时间4.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)660mW (Ta), 38.5W (Tc)
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NTTFS4821NTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度3.05 mm
高度0.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTTFS4821NTAG 数据手册

NTTFS4821NTAG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.17 MByte
NTTFS4821NTAG 产品设计参考手册
ON Semiconductor（安森美）
40 页 / 2.7 MByte
NTTFS4821NTAG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.18 MByte
NTTFS4821NTAG 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
74 页 / 1.15 MByte

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NTTFS4821NTAG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
18.6A,30V,N沟道MOSFET
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