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NTY100N10G
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NTY100N10G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-264-3
描述:100V,123A,双功率MOSFET
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NTY100N10G 数据手册 (8 页)
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NTY100N10G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流123 A
封装TO-264-3
漏源极电阻9.00 mΩ
极性N-Channel
功耗313 W
输入电容10.1 nF
栅电荷350 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)123 A
上升时间150 ns
输入电容值(Ciss)10110pF @25V(Vds)
额定功率(Max)313 W
下降时间250 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)313W (Tc)
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NTY100N10G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度20.3 mm
宽度5.3 mm
高度26.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTY100N10G 数据手册

NTY100N10G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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