类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 540 mA |
封装 | SOT-563-6 |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.4 Ω |
极性 | Dual N-Channel |
功耗 | 250 mW |
阈值电压 | 1 V |
输入电容 | 80 pF |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
栅源击穿电压 | ±6.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 540 mA |
上升时间 | 4 ns |
输入电容值(Ciss) | 150pF @16V(Vds) |
额定功率(Max) | 250 mW |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 280 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.7 mm |
宽度 | 1.2 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| 540mA/0.54A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 900mΩ@ VGS =1.8V, ID =350mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.45~1V 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Small Signal MOSFET Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • ESD Protected Gate • These are Pb−Free Devices Applications • Load/Power Switches • Power Supply Converter Circuits • Battery Management • Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc 描述与应用| 小信号MOSFET 特点 •低RDS(ON)提高系统效率 •低阈值电压 •小尺寸1.6×1.6毫米 •ESD保护门 •这些都是Pb-Free设备 应用 •负载/功率开关 •电源转换器电路 •电池管理 手机,数码相机,掌上电脑,传呼机等
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ON SEMICONDUCTOR NTZD3154NT1G. 场效应管, MOSFET
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