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NVD5117PLT4G
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NVD5117PLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NVD5117PLT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 0.016Ω, -61A, TO-252-3
PDF文件:NVD5117PLT4G 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页8 页
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NVD5117PLT4G 数据手册 (9 页)
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NVD5117PLT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.016 Ω
极性P-Channel
功耗118 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)11A
上升时间195 ns
输入电容值(Ciss)4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)4.1 W
下降时间132 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)4.1W (Ta), 118W (Tc)
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NVD5117PLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NVD5117PLT4G 数据手册

NVD5117PLT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.11 MByte
NVD5117PLT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
28 页 / 0.19 MByte
NVD5117PLT4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.17 MByte
NVD5117PLT4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.12 MByte

NVD5117PLT4 数据手册

NVD5117PLT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NVD5117PLT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 0.016Ω, -61A, TO-252-3
NVD5117PLT4G-VF01 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
NVD5117PL: 单 P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-61A，16mΩ
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