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NVD5865NLT4G
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NVD5865NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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NVD5865NLT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.013 Ω
极性N-Channel
功耗71 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
上升时间12.4 ns
输入电容值(Ciss)1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)3.1 W
下降时间4.4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)71 W
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NVD5865NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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NVD5865NLT4G 数据手册

NVD5865NLT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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