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NVD5C434NT4G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
RF模块、IC及配件
封装:
DPAK-252
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NVD5C434NT4G 数据手册
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NVD5C434NT4G 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
DPAK-252
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0017 Ω
功耗
3.2 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
78 ns
输入电容值(Ciss)
5400pF @25V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3200 mW
NVD5C434NT4G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
NVD5C434NT4G 符合标准
NVD5C434NT4G 数据手册
NVD5C434NT4G
其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.18 MByte
NVD5C434NT4 数据手册
NVD5C434NT4
G
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ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 163 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 4 V
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