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NVD5C684NLT4G
来自 AiPCBA

NVD5C684NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:RF模块、IC及配件
封装:TO-252-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 2.1 V
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NVD5C684NLT4G 数据手册
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NVD5C684NLT4G 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0137 Ω
功耗27 W
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间43 ns
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3000 mW

NVD5C684NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)

NVD5C684NLT4G 数据手册

NVD5C684NLT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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NVD5C684NLT4 数据手册

NVD5C684NLT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 2.1 V
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