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NVD5C688NLT4G

来自 AiPCBA

NVD5C688NLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
封装:	DPAK-252
描述:	晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 60 V, 0.0228 ohm, 10 V, 2.1 V
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

NVD5C688NLT4G 数据手册

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NVD5C688NLT4G 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	3 Pin
封装	DPAK-252
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.0228 Ω
功耗	2.9 W
阈值电压	2.1 V
漏源极电压(Vds)	60 V
上升时间	42 ns
输入电容值(Ciss)	400pF @25V(Vds)
下降时间	24 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2900 mW

NVD5C688NLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)

NVD5C688NLT4G 符合标准

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