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NVF2955T1G
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NVF2955T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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NVF2955T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.145 Ω
极性P-Channel
功耗2.3 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间7.6 ns
输入电容值(Ciss)492pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.3 W
下降时间38 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1W (Ta)
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NVF2955T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.65 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NVF2955T1G 数据手册

NVF2955T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.11 MByte
NVF2955T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.19 MByte
NVF2955T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

NVF2955T1 数据手册

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P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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