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NVGS5120PT1G
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NVGS5120PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-6
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 0.072 ohm, -10 V, -3 V
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NVGS5120PT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-23-6
通道数1 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻0.072 Ω
极性P-CH
功耗1.1 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)2.5A
上升时间4.9 ns
输入电容值(Ciss)942pF @30V(Vds)
下降时间12.8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)600mW (Ta)
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NVGS5120PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NVGS5120PT1G 数据手册

NVGS5120PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.1 MByte
NVGS5120PT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.47 MByte
NVGS5120PT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

NVGS5120PT1 数据手册

NVGS5120PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 0.072 ohm, -10 V, -3 V
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