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NVMFS5113PLWFT1G
来自 AiPCBA

NVMFS5113PLWFT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SO-FL
描述:P沟道 60V 64A
PDF文件:NVMFS5113PLWFT1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页
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NVMFS5113PLWFT1G 数据手册 (7 页)
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NVMFS5113PLWFT1G 技术参数、封装参数

类型描述
封装SO-FL
极性N-CH
功耗3.8 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间37 ns
下降时间77 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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NVMFS5113PLWFT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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NVMFS5113PLWFT1G 数据手册

NVMFS5113PLWFT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.16 MByte
NVMFS5113PLWFT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 1.89 MByte

NVMFS5113PLWFT1 数据手册

NVMFS5113PLWFT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
P沟道 60V 64A
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