Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > NVR1P02T1G Datasheet 文档
NVR1P02T1G
来自 AiPCBA

NVR1P02T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
PDF文件:NVR1P02T1G 数据手册 (5 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NVR1P02T1G 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NVR1P02T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.148 Ω
极性P-Channel
功耗400 mW
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)1A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)165pF @5V(Vds)
额定功率(Max)400 mW
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)400mW (Ta)
查看数据手册 >

NVR1P02T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.01 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

NVR1P02T1G 数据手册

NVR1P02T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
NVR1P02T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.99 MByte
NVR1P02T1G 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.08 MByte
NVR1P02T1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.71 MByte

NVR1P02T1 数据手册

NVR1P02T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet