| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-416 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 250 mW |
| 阈值电压 | 900 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.35A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET NX3008NBK,215, 400 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBK,215, 230 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET NX3008NBKS,115, 350 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia（安世）
Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET NX3008PBKS,115, 200 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 350 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia（安世）
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW,115, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 400 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia（安世）
Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET NX3008CBKV,115, 220 mA，400 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-666封装
NXP（恩智浦）
NX3008CBKV - 30 / 30 V，400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET
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