类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Box |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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ON SEMICONDUCTOR P2N2222AG. 放大器晶体管
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放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)
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