| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 额定电压(DC) | 33.0 V |
| 封装 | DO-214AA |
| 额定功率 | 600 W |
| 击穿电压 | 33 V |
| 电路数 | 1 Circuit |
| 针脚数 | 2 Position |
| 功耗 | 600 W |
| 钳位电压 | 45.7 V |
| 最大反向电压(Vrrm) | 28.2V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 最大反向击穿电压 | 34.7 V |
| 脉冲峰值功率 | 600 W |
| 最小反向击穿电压 | 31.4 V |
| 击穿电压 | 31.4 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | -65℃ ~ 150℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 4.57 mm |
| 宽度 | 3.81 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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ON Semiconductor（安森美）
600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR P6SMB33CAT3G TVS Diode, TVS, P6SMB Series, Bidirectional, 28.2 V, 45.7 V, DO-214AA, 2 Pins 新
Littelfuse（力特）
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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