类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-89-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 1500 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
集电极最大允许电流 | 1A |
最小电流放大倍数 | 100 @50mA, 10V |
额定功率(Max) | 1.5 W |
耗散功率(Max) | 1500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.35 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115Z 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
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