| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 0.7 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 1.4 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
| 最小电流放大倍数 | 50 @500mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.4 W |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 150 V 1 A 30MHz 1.4 W 表面贴装型 SOT-223
Nexperia（安世）
12 页 / 0.12 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115Z 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
NXP PBHV8115T 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
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