PBHV8118T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:	NXP（恩智浦）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-23
描述:	NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
PDF文件:	PBHV8118T 数据手册 (13 页)引脚图在2 页Hot 封装尺寸在8 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

PBHV8118T 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PBHV8118T 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23
针脚数	3 Position
极性	NPN
功耗	300 mW
击穿电压(集电极-发射极)	180 V
集电极最大允许电流	1A
最小电流放大倍数	100
直流电流增益(hFE)	250
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300 mW

查看数据手册 >

PBHV8118T 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Cut Tape (CT)
长度	3 mm
宽度	1.4 mm
高度	1.1 mm

查看数据手册 >

PBHV8118T 符合标准

PBHV8118T 数据手册

NXP（恩智浦）

13 页 / 0.16 MByte

PBHV8118T 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.27 MByte

PBHV8118T 产品设计图

NXP（恩智浦）

16 页 / 0.2 MByte

PBHV8118 数据手册

PBHV8118T,215 数据手册

Nexperia（安世）

NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

PBHV8118T 数据手册

NXP（恩智浦）

NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

PBHV8118T,215 数据手册

NXP（恩智浦）

PBHV8118 系列 180 V 1 A 表面贴装 NPN 高压低 VCEsat (BISS) 晶体管

PBHV8118T 数据手册

Nexperia（安世）

低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号