| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 180 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 50 @500mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 250 |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.16 MByte
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PBHV8118 系列 180 V 1 A 表面贴装 NPN 高压 低 VCEsat (BISS) 晶体管
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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