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PBHV8118T,215
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PBHV8118T,215 数据手册 (13 页)
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PBHV8118T,215 技术参数、封装参数

PBHV8118T,215 外形尺寸、物理参数、其它

PBHV8118T,215 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.16 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

PBHV8118 数据手册

Nexperia(安世)
NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PBHV8118 系列 180 V 1 A 表面贴装 NPN 高压 低 VCEsat (BISS) 晶体管
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
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