PBHV8215Z 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:	NXP（恩智浦）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-223
描述:	NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
PDF文件:	PBHV8215Z 数据手册 (12 页)引脚图在2 页Hot 封装尺寸在8 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

PBHV8215Z 数据手册 (12 页)

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PBHV8215Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	4 Pin
封装	SOT-223
针脚数	4 Position
极性	NPN
功耗	730 mW
击穿电压(集电极-发射极)	150 V
集电极最大允许电流	2A
最小电流放大倍数	100
直流电流增益(hFE)	240
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1.45 W

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PBHV8215Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Cut Tape (CT)
长度	6.7 mm
宽度	3.7 mm
高度	1.8 mm

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PBHV8215Z 符合标准

PBHV8215Z 数据手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.15 MByte

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NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

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低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia

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