| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 700 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 150 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 直流电流增益(hFE) | 220 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.4 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.8 mm |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
NXP PBHV9115T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
NXP PBHV9115Z,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
Nexperia（安世）
NXP PBHV9115X,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:10, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PBHV9115Z 系列 150 V 1 A 表面贴装 PNP (BISS) 晶体管 - SOT223-3
NXP（恩智浦）
NXP PBHV9115T,215 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 300 mW, -1 A, 10 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
PBHV9115T 系列 150 V 1 A 表面贴装 PNP 高压 低 VCEsat (BISS) 晶体管
NXP（恩智浦）
NXP PBHV9115T 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 300 mW, -1 A, 220 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBHV9115X 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 115 MHz, 520 mW, -1 A, 220 hFE
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