PBR941 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| • UHF wideband transistor • Small size • Low noise • Low distortion • High gain • Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS • Communication and instrumentation systems. 描述与应用| •UHF宽带晶体管 •小尺寸 •低噪音 •低失真 •高增益 •黄金金属确保卓越的可靠性。 应用 •通信和仪器仪表系统。