| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 230 @300mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 270 |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 570 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 600 mA 250 mW 表面贴装型 TO-236AB
Nexperia（安世）
14 页 / 0.22 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -40 V, -800 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 2.2千瓦，R 2 = 2.2千瓦 PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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