| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 4.6A |
| 最小电流放大倍数 | 70 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS305NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=80 V, HFE:50, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS305PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 700 mW, -4.5 A, 280 hFE
Nexperia（安世）
NXP PBSS305PX,115 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:45, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS305PZ,135 , PNP 晶体管, 4.5 A, Vce=80 V, HFE:30, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS305NX,115 , NPN 晶体管, 4.6 A, Vce=80 V, HFE:70, 110 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS305NX,115 晶体管, BISS型, NPN, 80V, 4.6A, 3-SOT-89
Nexperia（安世）
NXP PBSS305ND,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:25, 140 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP PBSS305PX,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 600 mW, -4 A, 45 hFE
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