类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-89-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 600 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 4A |
最小电流放大倍数 | 120 @2A, 2V |
最大电流放大倍数 | 200 @0.5A, 2V |
额定功率(Max) | 2.1 W |
直流电流增益(hFE) | 45 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 2100 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS305NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=80 V, HFE:50, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS305PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 700 mW, -4.5 A, 280 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS305PX,115 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:45, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS305PZ,135 , PNP 晶体管, 4.5 A, Vce=80 V, HFE:30, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS305NX,115 , NPN 晶体管, 4.6 A, Vce=80 V, HFE:70, 110 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS305NX,115 晶体管, BISS型, NPN, 80V, 4.6A, 3-SOT-89
Nexperia(安世)
NXP PBSS305ND,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:25, 140 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP PBSS305PX,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 600 mW, -4 A, 45 hFE
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