| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SC-73 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 5.1A |
| 最小电流放大倍数 | 30 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.12 MByte
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.19 MByte
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306NZ,135 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 700 mW, 5.1 A, 30 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS306NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=100 V, HFE:30, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306NX,115 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306PX,115 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
