| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 4 Position |
| 功耗 | 2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @2A, 2V |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 SOT-223
Nexperia（安世）
15 页 / 0.19 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306NZ,135 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 700 mW, 5.1 A, 30 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS306NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=100 V, HFE:30, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306NX,115 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS306PX,115 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
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