Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > PBSS306PZ,135 Datasheet 文档
PBSS306PZ,135
来自 AiPCBA
PBSS306PZ,135 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PBSS306PZ,135 技术参数、封装参数

PBSS306PZ,135 外形尺寸、物理参数、其它

PBSS306PZ,135 数据手册

Nexperia(安世)
15 页 / 0.19 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
16 页 / 0.2 MByte

PBSS306 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PBSS306NZ,135  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 700 mW, 5.1 A, 30 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS306NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=100 V, HFE:30, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS306PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS306NX,115  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE
NXP(恩智浦)
NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS306PX,115  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号