类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | XFDFN-3 |
额定功率 | 0.59 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
最小电流放大倍数 | 200 @10mA, 2V |
额定功率(Max) | 250 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 590 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Nexperia(安世)
13 页 / 0.64 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS3515VS,115, 双 PNP 晶体管, 500 mA, Vce=15 V, HFE:90, 280 MHz, 6引脚 SSMini封装
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP PBSS3515E,115 单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFE
NXP(恩智浦)
15 V , 0.5 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
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