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PBSS3515VS
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PBSS3515VS 技术参数、封装参数

PBSS3515VS 外形尺寸、物理参数、其它

PBSS3515VS 数据手册

NXP(恩智浦)
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PBSS3515 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS3515VS,115, 双 PNP 晶体管, 500 mA, Vce=15 V, HFE:90, 280 MHz, 6引脚 SSMini封装
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS3515E,115  单晶体管 双极, PNP, -15 V, 280 MHz, 150 mW, -500 mA, 200 hFE
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
15 V , 0.5 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Philips(飞利浦)
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