| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOT-96-1 |
| 额定功率 | 1.4 W |
| 功耗 | 2.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 额定功率(Max) | 2.3 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4032NT,215 , NPN 晶体管, 2.6 A, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4032SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=30 V, HFE:200 (PNP), 300 (NPN), 100 MHz, 8引脚
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4032PT,215 , PNP 晶体管, 2.4 A, Vce=30 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4032NZ 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 145 MHz, 700 mW, 4.9 A, 500 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4032PZ,115 , PNP 晶体管, 4.9 A, Vce=30 V, HFE:60, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 145 MHz, 700 mW, 4.9 A, 500 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor Hi-Speed Switch
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 115 MHz, 600 mW, -4.2 A, 350 hFE
Nexperia（安世）
PBSS4032ND 系列 30 V 3.5 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SC-74-6
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