| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 600 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 150 @2A, 2V |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 6.7 A, Vce=60 V, HFE:75 (NPN)、80 (PNP), 100 MHz, 8引脚 SOIC封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041NT,215 , NPN 晶体管, 3.8 A, Vce=60 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041NX,115 , NPN 晶体管, 6.2 A, Vce=60 V, HFE:75, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041PX,115 , PNP 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 105 MHz, 770 mW, 7 A, 500 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4041SPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 500 hFE, SOIC
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041PT,215 , PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=60 V, HFE:200, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4041PZ,115 , PNP 晶体管, 5.7 A, Vce=60 V, HFE:120, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4041NT 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 175 MHz, 390 mW, 3.8 A, 500 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管阵列, NPN, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC
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