| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.3 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 最小电流放大倍数 | 300 @500mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 480 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 280 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 480 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
●### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
7 页 / 0.23 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4120T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFE
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