类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | SOT-457 |
针脚数 | 6 Position |
极性 | NPN, PNP |
功耗 | 310 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 1.35A/1.1A |
最小电流放大倍数 | 50 |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1100 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3.1 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240T,215 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4240Y,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:150, 230 MHz, 6引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
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