类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
直流电流增益(hFE) | 470 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 230MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 470 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 70mV~320mV 耗散功率PcPower Dissipation| 480mW/0.48W Description & Applications| 40 V, 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation • Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package 描述与应用| 40 V,2A NPN低VCEsat(BISS)晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性,由于减少热 代 •更换SOT89/SOT223标准包装 晶体管。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重型电池供电设备(电机和灯泡 驱动程序)。 说明 NPN低VCEsat 在SOT23塑料封装晶体管
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240T,215 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4240DPN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4240Y,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:150, 230 MHz, 6引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
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