类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-89 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 550 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
最小电流放大倍数 | 300 |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 70mV~310mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| 50 V, 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs). – Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. 描述与应用| 50 V,2A NPN低VCEsat(BISS)晶体管 特点 •SOT89(SC-62)封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力:IC和ICM •更高的效率,导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器,在低电源电压应用(如灯 和LED)。 - 感性负载驱动器(如继电器, 蜂鸣器和电机)。 说明 NPN低VCEsat 晶体管塑料封装为SOT89。
Nexperia(安世)
PBSS4250X 系列 50 V 2 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4250X 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 550 mW, 2 A, 300 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4250X,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 300 hFE
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
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