| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 功耗 | 300 mW |
| 最小电流放大倍数 | 220 |
| 直流电流增益(hFE) | 220 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
Philips（飞利浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4320T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS4320X,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
PBSS4320X 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320X 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 220 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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