类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | UPAK |
最小电流放大倍数 | 150 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 1600 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
长度 | 4.6 mm |
宽度 | 2.6 mm |
高度 | 1.6 mm |
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia
●一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4320T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4320X,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4320T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4320T,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
PBSS4320X 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
NXP(恩智浦)
NXP PBSS4320X 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 220 hFE
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
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