| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1.6 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 200 @2A, 2V |
| 额定功率(Max) | 1.6 W |
| 耗散功率(Max) | 1600 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS4320T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS4320X,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP（恩智浦）
PBSS4320X 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320X 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 220 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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