| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-1061 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 500 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 直流电流增益(hFE) | 465 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
NXP PBSS4330X,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:180, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 500 mW, 3 A, 465 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 600 mW, 3 A, 180 hFE
NXP（恩智浦）
低饱和电压 NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4330PA 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 210 MHz, 500 mW, 3 A, 465 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4330X 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 550 mW, 2 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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