| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 201 |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.48 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130T 单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130PAP 单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130QA 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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