| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 额定功率 | 0.35 W |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 300 @100mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 300 @1mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5140U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:160, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5140U 单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
NXP（恩智浦）
40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistor
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