| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-6 |
| 额定功率 | 1.04 W |
| 针脚数 | 6 Position |
| 功耗 | 2 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 120 @500mA, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 245 |
| 额定功率(Max) | 510 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 70 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 60V 1A 125MHz 510mW 表面贴装型 6-HUSON（2x2）
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T,215 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5160DS,115. 晶体管, BISS, 双路 PNP, -60V, -1A
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5160DS,115, 双 PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 70 hFE
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