| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-1118 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 370 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
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低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
20 V ，2 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
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