类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-236 |
最小电流放大倍数 | 150 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 480 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1 mm |
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia
●一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
Nexperia PBSS5220T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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PBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3
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NXP PBSS5220T 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 300 mW, 2 A, 225 hFE
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
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NXP PBSS5220PAPS 双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双PNP 新
Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
20 V ,2 A PNP低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
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