| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 额定功率 | 1 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 550 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 最小电流放大倍数 | 200 @1A, 2V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
9 页 / 0.14 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
PBSS5250T 系列 50 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
Nexperia（安世）
三极管(BJT) PBSS5250X,135 SOT-89-3
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5250X 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 550 mW, 2 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5250T 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 300 mW, -2 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5250X,115 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -2 A, 200 hFE
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